公司是一家多元化的工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今日宣布推出两款下一代隧道磁阻 （TMR） 磁性开关：LF21112TMR全极开关以及LF11215TMR双极开关。这两款紧凑型器件具有出色的磁灵敏度、热稳定性和超低功耗，为智能电表、可穿戴设备、消费电子产品、工业自动化和家庭安全系统提供节能传感解决方案。

　　通过将TMR技术与超低功耗CMOS设计相结合，这两款开关相较于传统的霍尔效应传感器和旧式磁性开关技术，均展现出卓越的性能表现。这些产品的推出标志着Littelfuse磁传感器产品组合向电池敏感型和常开应用领域的重大拓展。

　　●LF21112TMR：公司首款全极TMR开关，能够同时检测南北磁极，使磁体放置更灵活，并简化了设计。典型电流消耗仅为200nA，是超低功耗应用的理想选择。

　　●LF11215TMR：一款双极数字TMR开关，以1.5 μA的超低电流消耗和仅17高斯的高磁灵敏度提供高速、精确检测。在需要定向检测的更复杂传感应用中表现出色。

　　全极开关（如LF21112TMR）在暴露于任一磁极时都会触发响应，非常适合空间受限的设计和难以控制磁体对准的应用。双极开关（如LF11215TMR）由特定磁极（通常为北极）触发，并由相反磁极（南极）复位。这种方向灵敏度对于需要旋转或方向感应的应用非常有利。

　　这些开关可帮助工程师设计出更小、更智能、更节能的产品，同时降低机械复杂性并延长电池寿命。

　　“LF21112TMR和LF11215TMR扩展了LittelfuseTMR传感器产品组合，这些解决方案致力于应对当今紧凑型、电池供电和常开设备中的关键设计挑战。”Littelfuse全球产品经理Julius Venckus表示， “两款开关都集成了隧道磁阻技术和超低功耗CMOS设计，在业界领先的电流水平下实现卓越的磁灵敏度与热稳定性——全极性检测仅为200nA，双极性检测则为1.5 μA。这些创新使工程师能够延长电池寿命，简化磁对准，并确保在嘈杂、热要求苛刻的环境下进行可靠传感。从智能电表和可穿戴设备到工厂自动化和家庭安全系统，无论您是需要灵活的电极检测还是精确的方向切换，这些TMR解决方案都能提供设计更智能、更持久的应用所需的性能和效率。”

　　与霍尔效应传感器相比，隧道磁阻（TMR）开关具有更高的磁灵敏度，功耗也大大降低。这种组合可延长电池寿命，并确保在智能电表和可穿戴设备等紧凑型常开设计中实现可靠的传感性能。

　　全极开关（如LF21112TMR）可响应任一磁极，从而简化对准并带来更大的设计灵活性。与LF11215TMR一样，双极开关由一个电极激活，相反电极复位，从而实现精确的方向或旋转感应。

　　其超低功耗（全极仅为200 nA，双极仅为1.5 μA）使其成为能量敏感型应用的理想选择。该器件采用集成式CMOS设计，可保持高响应能力，同时延长可穿戴设备、传感器和计量设备的产品使用寿命。

　　这些开关非常适合电池供电应用和空间受限的环境，例如智能水电表、可穿戴设备、物联网设备、家电和自动化系统。其紧凑的SOT23-3封装、1.8-5.0 V的宽工作电压范围和强大的抗磁干扰能力，均有助于轻松集成到现代紧凑型电子产品中。

　　可以。这两种型号通常都可以直接集成到现有的霍尔效应开关电路中，无需进行重大重新设计。推挽式CMOS输出和标准的SOT23-3尺寸简化了替代过程，而宽电压范围和增强的灵敏度可帮助工程师提升性能并降低功耗。TMR的激活方向在“X”轴上，而霍尔效应则是在“Z”轴上。

　　产品以卷带形式提供，起订量为3000支。通过全球授权的Littelfuse经销商接受样品请求。

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